画期的なリーク電流制御技術「LongRun2」(PC Watch)
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2003/1022/kaigai035.htm
動的にVtを制御するLongRun2だそうです。技術の方向としては間違ってはないと思います。本当にリーク電流を低減してパフォーマンスを向上するにはSOIやDSTといったような技術を用いるのが良いのですが、
- 製造プロセスの大幅な変更が必要
- 製造技術が熟成されていない
- 製造工程が増え、コストが上がる
- 材料費も高い
といったような懸念事項が考えられます(それ考えるとAMDってすごいですね、SOIつかってるし)。
で、この具体的な方法ですが、スタンバイ時にバックゲートに電圧をかけて、リーク電流を押さえるというものだそうです。たしかにこの方法だとVtの動的な制御が可能ですね。この方法のメリットは
- 既存の製造プロセスが流用できる
- 効果が予測しやすい
という2点かなと個人的には思います。トランスメタはファブレスメーカーなので、なるべくプロセスに依存しない方向で回路を設計するとこうなるのかなと。
反対に、デメリットも勿論あるわけで…
- 面積がでかくなる(コスト高)
- 制御が非常にややこしい
- こわい
アーキテクチャがわからんので確証はないのですが、面積は大きくなると思います。CPUは高付加価値商品なので、そんなに気にはならないかもしれないですが。
面積よりも、ウェル電圧の制御の方が気になりますね。かなり気を使わないと、不具合の原因になると思います。